存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体存储器

专利权的终止

摘要

一种存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体集成电路。一种非易失性半导体集成电路，其存储单元阵列由多个各个具有第1至第N个“与非”结构的存信单元晶体管组成，该存储器有多个与第一存储单元晶体管串联连接的第一串选择晶体管的多个与第N个存储单元晶体管串联连接的第二串选择晶体管相连接。其中一个与第1和第N个存储单元串联连接的串选择晶体管，其控制端子接一个接地点，从而具有地选择功能和串选择功能。

基本信息

专利标题：

存储单元具有“与非”逻辑结构的非易失性半导体存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1101451A

申请号：

CN94102724.4

公开（公告）日：

1995-04-12

申请日：

1994-03-12

授权号：

CN1033344C

授权日：

1996-11-20

发明人：

赵星熙李炯坤黄相基

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

马铁良

优先权：

CN94102724.4

主分类号：

G11C14/00

IPC分类号：

G11C14/00

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C14/00

按照当电源掉电时用于后备的具有易失及非易失存储特性的单元装置的特征区分的数字存储器

法律状态

2014-04-16 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101581485407
IPC(主分类) : G11C 14/00
专利号 : ZL941027244
申请日 : 19940312
授权公告日 : 19961120
期满终止日期 : 20140312

1996-11-20 ：

授权

1996-01-31 ：

实质审查请求的生效

1995-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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