集成电路及其制造方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种具有有源器件单元阵列和伪器件单元阵列的集成电路(IC)及其制造方法。IC包括衬底、有源器件单元和伪器件单元。有源器件单元包括设置在衬底上或衬底内的第一导电类型的源极/漏极(S/D)区域的阵列和设置在衬底上的具有第一栅极填充材料的栅极结构的阵列。伪器件单元包括设置在衬底上或衬底内的第一导电类型的源极/漏极区域的第一阵列、设置在衬底上或衬底内的第二导电类型的源极/漏极区域的第二阵列以及设置在衬底上的双栅极结构的阵列。每个双栅极结构包括第一栅极填充材料和与第一栅极填充材料不同的第二栅极填充材料。
基本信息
专利标题 ：
集成电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464618A
申请号 ：
CN202210027212.3
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴铠齐高境鸿康孟意郭舫廷
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210027212.3
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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