集成电路及其制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种集成电路及其制造方法。该集成电路(20)包括主体硅衬底(bulk silicon substrate)(24)，其具有〈100〉晶向的第一区域(64，66)及〈110〉晶向(crystalline orientation)的第二区域(66，64)。绝缘层上硅(silicon on insulator，SOI)层(62)叠放设置于一部分的主体硅衬底上。至少一场效应晶体管(96，98)形成在该绝缘层上硅层(62)中，至少一P沟道场效应晶体管(90，92)形成在该〈110〉晶向的第二区域(66，64)中，且至少一N沟道场效应晶体管(90，92)形成在该〈100〉晶向的第一区域(64，66)中。
基本信息
专利标题 ：
集成电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101138081A
申请号 ：
CN200680007336.4
公开（公告）日 ：
2008-03-05
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·M·韦特S·卢宁
申请人 ：
先进微装置公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200680007336.4
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/84
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2020-03-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20110302
终止日期 : 20190228
申请日 : 20060228
授权公告日 : 20110302
终止日期 : 20190228
2011-03-02 ：
授权
2010-09-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007453507
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利申请号 : 2006800073364
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 先进微装置公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20100730
号牌文件序号 : 101007453507
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利申请号 : 2006800073364
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 先进微装置公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20100730
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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