集成电路及其制造方法
授权
摘要
本发明提供一种集成电路及其制造方法。所述集成电路包括一导电层于一介电层中的一沟槽中，以及一渐层顶盖层于该导电层上，其中该渐层顶盖层包括一渐层的金属合金，于邻近该导电层的浓度大于或等于95at％钴、镍、或上述的组合以及于该导电层相对端的浓度小于或等于95at％钴、镍、或上述的组合。本发明提供一种顶盖层、胶着层、保护/阻障层、或渐层顶盖层于集成电路中的导电层上，其与导电层间具良好粘着性质且能阻障导电层扩散进入层间介电层，以改善集成电路的电性如电阻率及导电性。
基本信息
专利标题 ：
集成电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797763A
申请号 ：
CN200510109049.1
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
苏鸿文石健学蔡明兴眭晓林余振华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510109049.1
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2008-08-13 ：
授权
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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