本发明提供了一种集成电路及其制造方法，其中所述集成电路包括具有沟道区和邻近所述沟道区的源极和漏极区的场效应晶体管(FET)。提供位于所述沟道区下面的具有第一类型应力的第一应力区，其中所述第一类型应力为压缩型或拉伸型。提供位于所述源极和漏极区下面的具有第二类型应力的第二应力区，其中所述第二类型应力为与所述第一类型应力相反的压缩型或拉伸型中的一种。