集成电路及其制造方法
公开
摘要
本发明的实施例提供了一种集成电路，包括多个第一层深线和多个第一层浅线。该集成电路还包括多个第二层深线和多个第二层浅线。第一层深线和第一层浅线中的每个位于第一导电层中。第二层深线和第二层浅线中的每个位于第一导电层之上的第二导电层中。本发明的实施例还提供了一种制造集成电路的方法。
基本信息
专利标题 ：
集成电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582800A
申请号 ：
CN202210060867.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖韦安邱德馨彭士玮林威呈曾健庭吴佳典
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210060867.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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