局部空腔封装结构和封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明的实施例提供了一种局部空腔封装结构和封装方法，涉及芯片封装技术领域。该局部空腔封装结构包括基板、第一芯片、第二芯片和保护膜，第一芯片和第二芯片间隔设于基板上，保护膜设有预切痕，第二芯片的外围设有穿刺件，保护膜铺设于基板上以罩设第一芯片和第二芯片；穿刺件凸设于基板上，且与预切痕对应设置。这样可以在第一芯片的底部形成封闭空腔结构，同时，穿刺件的设置有利于将第二芯片外围的保护膜刺破，从而在塑封时能让塑封体进入第二芯片底部。
基本信息
专利标题 ：
局部空腔封装结构和封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551429A
申请号 ：
CN202210282023.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白胜清陈泽
申请人 ：
甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张洋
优先权 ：
CN202210282023.0
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L21/56 H01L23/31 H03H3/08 H03H9/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20220321
申请日 : 20220321
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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