局部空腔封装结构和声表面波滤波器
授权
摘要
本实用新型提供的一种局部空腔封装结构和声表面波滤波器，涉及半导体封装技术领域。该局部空腔封装结构包括基板、支撑块、芯片、保护膜和塑封体，基板上设有焊盘；支撑块设于焊盘的外围；芯片上设有凸块，凸块与焊盘焊接；保护膜覆盖芯片，以使芯片与基板之间形成密封空腔；塑封体设于保护膜远离基板的一侧。通过设置支撑块，能够防止保护膜进入密封空腔内，同时对保护膜起到阻挡和支撑作用，有利于防止保护膜被冲破，结构更加可靠。
基本信息
专利标题 ：
局部空腔封装结构和声表面波滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123238381.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216699967U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
张超钟磊李利
申请人 ：
甬矽半导体（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
彭星
优先权 ：
CN202123238381.1
主分类号 ：
H03H9/10
IPC分类号 ：
H03H9/10 H03H9/64
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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