一种含空腔的多芯片扇出封装结构
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摘要
一种含空腔的多芯片扇出封装结构，包括至少两芯片，芯片的第一表面设有焊盘和功能区；还包括第一载体、第二载体、填充层、金属再布线层、第一绝缘层、第二绝缘层和信号端口；该第一载体连结于第二载体第一表面且设有通孔；该芯片位于通孔内，其第二表面连结于第一载体第一表面；填充层覆盖于第一载体和芯片的第一表面且设置第一开口；该第一绝缘层覆盖于填充层表面以使功能区形成空腔并在焊盘处设置第二开口；该金属再布线层位于第一绝缘层的上表面且与焊盘电性连接；该第二绝缘层覆盖于第一绝缘层和金属再布线层表面，且设有第三开口；该信号端口位于第三开口处且与金属再布线层电性连接。本实用新型能提高封装可靠性，且体积小，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
一种含空腔的多芯片扇出封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920615798.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN209880595U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
于大全姜峰王阳红
申请人 ：
厦门云天半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区坪埕中路28号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
连耀忠
优先权 ：
CN201920615798.9
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L23/06 H01L21/52 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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