真空腔的改进结构

专利权的终止

摘要

本实用新型为一种真空腔的改进结构，用于半导体机台的晶圆定位，其中该机台所使用的载盘，可共用于沉积制程机台与蚀刻制程机台，当用于蚀刻制程机台时，可以提供较精准的晶圆定位。此改进的真空腔中包括一制程室、一承载装置、一晶圆载盘、以及一绕环。承载装置设置于制程室内。晶圆载盘设置于承载装置上，且晶圆载盘之顶面具有一环状凹槽。绕环可以选择性设置于环状凹槽中。本实用新型沉积制程机台与蚀刻制程机台的载盘能够共用，则显然可以节省制造成本，另外，在蚀刻制程时可以解决晶圆定位不精准的问题。

基本信息

专利标题：

真空腔的改进结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620119833.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-08-02

授权号：

CN200983358Y

授权日：

2007-11-28

发明人：

刘相贤

申请人：

联萌科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹县竹北市光明六路47号9楼

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谢丽娜

优先权：

CN200620119833.0

主分类号：

H01L21/683

IPC分类号：

H01L21/683 H01L21/3065 H01L21/20 H01L21/00 C23F4/00 C23C14/50 C23C16/458