一种真空腔体结构
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摘要
本实用新型公开了一种真空腔体结构，包括：母腔体和子腔体；所述子腔体位于所述母腔体内一侧，并置于所述母腔体的侧壁上；所述母腔体包括：母腔体抽真空管路；所述母腔体抽真空管路与所述母腔体连接；所述子腔体包括：密封门、可视门、载台、坩埚加热装置和子腔体抽真空管路；所述载台置于所述子腔体内，且所述坩埚加热装置于所述载台上方，用于加热坩埚；所述子腔体抽真空管路与所述子腔体连接；所述可视门活动设置于所述子腔体与所述母腔体共用的腔壁上；所述密封门活动设置于所述子腔体顶部。发生异常时，子腔体、母腔体可单独破真空并开腔处理，减少宕机时间。以此提高蒸镀质量，同时提高蒸镀机产能。
基本信息
专利标题 ：
一种真空腔体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021590001.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
CN212476865U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
张铭今孙玉俊
申请人 ：
福建华佳彩有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
林祥翔
优先权 ：
CN202021590001.3
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/56 C23C14/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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