真空镀膜机腔体
授权
摘要
本实用新型涉及一种真空镀膜机腔体，包括：腔体，腔体呈多边形立方体；真空镀膜机门，设置在腔体的一个立面上；平面阴极接口，若干个平面阴极接口设置在腔体的立面上；小弧源接口，若干个小弧源接口设置在腔体的立面上；旋转多弧接口，若干个旋转多弧接口设置在真空镀膜机门上；主抽口；若干个主抽口设置在腔体的立面上。本实用新型提供一种多边形的真空镀膜机腔体，改变了圆筒型真空镀膜机功能比较单一的技术问题，提高了真空镀膜机腔体的功能。另外，相对于圆筒型真空镀膜机，其功能件安装面增加可安装多种靶材，真空镀膜机的功能增强，实现可镀复杂膜层的技术功能。
基本信息
专利标题 ：
真空镀膜机腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022109518.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
CN213416999U
授权日 ：
2021-06-11
发明人 ：
熊凯户家周张朋坤
申请人 ：
上海福宜真空设备有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区招贤路778号4幢
代理机构 ：
上海裕创慧成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄裕
优先权 ：
CN202022109518.2
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2021-06-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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