空腔封装结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种空腔封装结构及制作方法，所述空腔封装结构包括：底座，所述底座包括一体成型的基板、金属引线框和树脂层；上盖，所述上盖与所述底座固定连接，且所述上盖和所述底座共同限定出密闭空腔；芯片或元器件，所述芯片或元器件设置于所述基板的第一表面上，且位于所述密闭空腔中，以及金属线，所述金属线位于所述密闭空腔内电性连接所述芯片或元器件与所述金属引线框。
基本信息
专利标题 ：
空腔封装结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284218A
申请号 ：
CN202111531306.6
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
俞开源刘庭张月升濮虎
申请人 ：
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
潘晓
优先权 ：
CN202111531306.6
主分类号 ：
H01L23/047
IPC分类号 ：
H01L23/047 H01L21/48 H01L23/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/043
中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座
H01L23/047
其他引线平行于基座的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/047
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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