封装结构及其制作方法
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摘要

本发明提供一种封装结构及其制作方法,其中封装结构包括芯片、封胶体以及重布线层。芯片包括至少两个集成电路单元以及虚置部分,其中虚置部分将集成电路单元分隔开,且虚置部分不将集成电路单元彼此电性连接。封胶体设置于芯片上,并围绕芯片。重布线层设置于封胶体上,且重布线层电性连接集成电路单元。

基本信息
专利标题 :
封装结构及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111668178A
申请号 :
CN201910238011.6
公开(公告)日 :
2020-09-15
申请日 :
2019-03-27
授权号 :
CN111668178B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
陈明志徐宏欣蓝源富许献文
申请人 :
力成科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹县
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
王天尧
优先权 :
CN201910238011.6
主分类号 :
H01L23/485
IPC分类号 :
H01L23/485  H01L23/31  H01L21/56  H01L21/60  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构,例如平面型触头
法律状态
2022-06-10 :
授权
2020-10-13 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20190327
2020-09-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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