封装结构及制作方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种封装结构及制作方法,包括:电性连接的下部封装体和上部封装体;下部封装体包括预制互联硅芯堆叠结构和围绕预制互联硅芯堆叠结构周边的第一塑封层;预制互联硅芯堆叠结构包括硅互联层,硅互联层包括相背的第一表面和第二表面;第一表面上层叠后道重布线堆叠层和第一预制重布线堆叠层,后道重布线堆叠层和第一预制重布线堆叠层电性连接;第二表面上设置钝化层;硅互联层包括硅基板和嵌设于硅基板内的若干硅通孔中的若干第一预制导通柱,每一第一预制导通柱包括相对的第一端和第二端,第一端自第一表面露出,且第二端自钝化层远离第二表面的一侧露出;上部封装体设置于第一预制重布线堆叠层上方,且与第一预制重布线堆叠层电性连接。

基本信息
专利标题 :
封装结构及制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334946A
申请号 :
CN202111496539.7
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
林耀剑刘硕杨丹凤周青云徐晨何晨烨
申请人 :
江苏长电科技股份有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号
代理机构 :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
常伟
优先权 :
CN202111496539.7
主分类号 :
H01L25/18
IPC分类号 :
H01L25/18  H01L23/31  H01L21/56  H01L23/488  H01L21/60  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/18
申请日 : 20211209
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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