一种封装结构及制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种封装结构及制作方法,所述封装结构包括:第一芯片,所述第一芯片包括相背的第一连接表面和第一导热表面;第二芯片,所述第二芯片设置于所述第一连接表面的一侧,且与所述第一芯片电性连接,所述第二芯片远离所述第一芯片的一侧包括第二导热表面;以及第一导热件和第二导热件,所述第一导热件和所述第一导热表面连接,所述第二导热件和所述第二导热表面连接。其中,第一芯片的第一导热表面和第一导热件之间形成第一导热通道,第二芯片的第二导热表面和第二导热件之间形成第二导热通道,第一导热通道和第二导热通道加快热量传导,因此,可显著提高封装结构的散热效率。
基本信息
专利标题 :
一种封装结构及制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334945A
申请号 :
CN202111452217.2
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨程
申请人 :
长电科技管理有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区集创路200号1幢111室
代理机构 :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
常伟
优先权 :
CN202111452217.2
主分类号 :
H01L25/18
IPC分类号 :
H01L25/18 H01L21/48 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/367 H01L25/065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/18
申请日 : 20211201
申请日 : 20211201
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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