封装体结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本公开实施例公开了一种封装体结构及其制作方法，所述封装体结构包括：封装基板，具有相对的第一表面和第二表面；半导体芯片，设置于所述封装基板的第一表面上，与所述封装基板电连接；多个接地端子，设置于所述封装基板的第一表面上，且环绕所述半导体芯片；所述接地端子与所述封装基板的第一表面上的地线电连接；绝缘层，覆盖所述封装基板的第一表面、所述接地端子的局部区域以及所述半导体芯片；导电层，包覆所述绝缘层；其中，所述接地端子的至少部分区域从所述绝缘层的侧面露出，且与所述导电层电连接。
基本信息
专利标题 ：
封装体结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551408A
申请号 ：
CN202210050625.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈鹏詹阳杨周厚德
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张雪
优先权 ：
CN202210050625.3
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/498 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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