半导体端电极结构及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种半导体端电极结构，包括衬底，在衬底表面形成的接合盘；在衬底和接合盘表面形成的图形钝化层；在接合盘上形成的阻挡层；在阻挡层上形成的培植层；以及在培植层上形成的金凸块。本发明还提供了一种半导体端电极结构的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底表面淀积接合盘；在衬底和接合盘表面形成图形钝化层；在接合盘上形成阻挡层；在阻挡层上形成培植层；在培植层上电镀金和铊形成凸块；退火端电极。本发明的半导体端电极结构及其制造方法能够适当提高金凸块的硬度。

基本信息

专利标题：

半导体端电极结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101017803A

申请号：

CN200610023752.5

公开（公告）日：

2007-08-15

申请日：

2006-02-06

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王津洲李润领

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN200610023752.5

主分类号：

H01L23/485

IPC分类号：

H01L23/485 H01L21/283

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/482

由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的

H01L23/485

包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头

法律状态

2020-01-24 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20060206
授权公告日 : 20080917
终止日期 : 20190206

2011-12-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101239706573
IPC(主分类) : H01L 23/485
专利号 : ZL2006100237525
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111109

2008-09-17 ：

授权

2007-10-10 ：

实质审查的生效

2007-08-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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