金属化薄膜材料的镀膜工艺及其制品
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明涉及一种金属化薄膜材料的镀膜工艺及其制品,在专用设备高真空蒸发双面金属化镀膜机上进行,其特征在于:装膜后冷却主轴,温度在-8℃~-12℃,锌坩锅、铝坩锅启动、卸压,锌坩锅、铝坩锅分体合机,第一真空、第二真空系统启动,保压镀膜,锌坩锅加热温度在450℃~750℃,铝坩锅加热温度在1000℃~1500℃,镀膜室真空度在-3×10-4~-5×10-4,然后解冻主轴,恢复常温卸膜。金属化薄膜材料的双面有金属镀膜,每面上的镀膜底层为镀锌层,表层为镀铝层。本发明克服了现有技术金属与薄膜之间的附着力差、镀层不均匀、质量不稳定的缺陷,达到了市场电容器所需的金属化薄膜材料的技术要求,极大地提高了国内电子元器件、包装材料的质量品位,满足了国内电子元器件制造的需要。

基本信息
专利标题 :
金属化薄膜材料的镀膜工艺及其制品
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1962928A
申请号 :
CN200510110172.5
公开(公告)日 :
2007-05-16
申请日 :
2005-11-10
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
唐玉宇
申请人 :
上海奥移电器有限公司
申请人地址 :
201319上海市南汇区康桥镇新苗村
代理机构 :
上海浦东良风专利代理有限责任公司
代理人 :
陈志良
优先权 :
CN200510110172.5
主分类号 :
C23C14/24
IPC分类号 :
C23C14/24  C23C14/54  C23C14/14  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2011-01-19 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101063076972
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利申请号 : 2005101101725
公开日 : 20070516
2009-05-27 :
实质审查的生效
2007-05-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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