半导体发光器件的反射腔及其工艺
被视为撤回的申请
摘要
本发明是半导体发光器件的反射腔及其工艺，属于半导体光电器件，特别是半导体发光器件的领域，它是利用单晶硅的各向异性腐蚀特性在单晶硅的(100)晶面上形成各种立方或长方锥形反射腔，再镀上一层金属(如Au，Ag或Al等)作为金属镜面，从而可制得各种LED指示灯，数码管，5×7字符显示或LED列阵等。本发明的反射腔工艺与通常的半导体器件工艺相容，用这种反射腔制得的LED器件，可使输出光强增加，提高发光效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光器件的反射腔及其工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100503A
申请号 ：
CN85100503
公开（公告）日 ：
1986-09-17
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙体忠
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN85100503
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
1987-09-09 ：
被视为撤回的申请
1986-09-17 ：
公开
1986-04-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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