具有金属反射腔的半导体平面发光器件
专利权的终止
摘要
本发明属于半导体发光显示器件。其电路底板采用双面铜箔板，正面镀金。反射腔框架采用ABS等塑料，表面镀有优良导热性能的金属层，例如镀铬层。框架内侧再镀上银层，构成金属反射腔。从而提高了器件的散热效率和反射效率。这样就可以增加底板上安装发光二极管管芯密度，提高了亮度。例如十管芯的器件亮度达到750尼特以上。器件点亮三十分钟后亮度仅下降百分之十。本发明可广泛应用于军事、工业、交通等行业在高照度条件下的信息显示。
基本信息
专利标题 ：
具有金属反射腔的半导体平面发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104012A
申请号 ：
CN85104012.8
公开（公告）日 ：
1986-09-10
申请日 ：
1985-05-22
授权号 ：
CN85104012B
授权日 ：
1987-12-02
发明人 ：
方志烈许建中
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN85104012.8
主分类号 ：
H01L25/04
IPC分类号 ：
H01L25/04 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
法律状态
1990-09-12 ：
专利权的终止
1988-06-15 ：
授权
1987-12-02 ：
审定
1986-09-10 ：
公开
1986-08-13 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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