平面型单硅双金属层功率器件
专利权的终止
摘要
平面型单硅双金属层功率器件，基础体、设置在基础体内的栅极体及一组源极体、漏极体，位于基础体中的第一导电片层，具有与各极体数量对应的导电片，并分别与各极体一一对应电连接。在位于第一导电片层一侧的基础体外表面、设置有由栅极焊盘及共源极焊盘、共漏极焊盘构成的第二导电片层，第一导电片层中的栅极导电片与第二导电片层上的栅极焊盘电连接，第一导电片层中的所有源极导电片与第二导电片层上的共源极焊盘电连接，第一导电片层中的所有漏极导电片与第二导电片层上的共漏极焊盘电连接。具有成本低、面积小的优点。
基本信息
专利标题 ：
平面型单硅双金属层功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620061169.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-06-27
授权号 ：
CN200979882Y
授权日 ：
2007-11-21
发明人 ：
吴纬国
申请人 ：
广州南科集成电子有限公司
申请人地址 ：
510663广东省广州市广州经济技术开发区科学城光谱中路
代理机构 ：
珠海智专专利商标代理有限公司
代理人 ：
张中
优先权 ：
CN200620061169.9
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/522 H01L29/78 H01L29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2010-09-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005906919
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006200611699
申请日 : 20060627
授权公告日 : 20071121
号牌文件序号 : 101005906919
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006200611699
申请日 : 20060627
授权公告日 : 20071121
2007-11-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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