一种平面型的IGBT半导体功率器件
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摘要
本实用新型公开了一种平面型的IGBT半导体功率器件，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上的N型轻掺杂漂移区和P型阱区，N型轻掺杂漂移区和P型阱区彼此连接，在P型阱区上的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂区，在远离栅结构的N型重掺杂区一侧的P型重掺杂区，该N型重掺杂区和P型重掺杂区彼此相连构成重掺杂发射区，在N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂缓冲区，在N型重掺杂缓冲区上的P型重掺杂集电极区，在P型阱区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂发射区上的发射极，P型重掺杂集电极区上的集电极，栅结构区上的栅极。该器件通过平面型设计，结合NMOS和PNP晶体管实现平面型IGBT器件。
基本信息
专利标题 ：
一种平面型的IGBT半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021991031.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212750900U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
陈利陈译陈彬
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
代理机构 ：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏娟
优先权 ：
CN202021991031.5
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L29/10
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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