用于半导体器件的消反射涂层及其方法
授权
摘要
根据本发明的一个实施例，半导体器件(200)包括设置在半导体器件的衬底(226)的上表面上的第一介电材料层(208)和设置在介电材料的上表面上的第一非导电金属层(206)。所述第一介电材料层和所述第一非导电金属层作为由所述第一非导电金属层接收的电磁辐射的光阱。在具体实施例中，半导体器件可进一步包括设置在第一非导电金属层的上表面上的第二介电材料层和设置在所述第二介电材料层的上表面上的第二非导电金属层。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件的消反射涂层及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101176026A
申请号 ：
CN200680016740.8
公开（公告）日 ：
2008-05-07
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·G·苏达卡R·L·亚当斯J·M·纳得瑞其S·J·雅各布斯L·A·威塞斯凯L·M·威尔斯W·D·卡特J·C·弗雷德里克
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200680016740.8
主分类号 ：
G02B26/00
IPC分类号 ：
G02B26/00 G02B26/08 G02F1/29 G02F1/03 G02F1/07 G02F1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B26/00
利用可移动的或可变形的光学元件控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的光学器件或装置，例如，开关、选通或调制
法律状态
2011-08-17 ：
授权
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2008-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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