半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件。所述半导体器件可包括第一导电类型的半导体区域以及第二导电类型的阱区域。所述阱区域可被设置在所述半导体区域中。所述阱区域和所述半导体区域之间的界面可在所述半导体区域的上表面之下的深度处限定二极管结。所述半导体器件可还包括设置在所述半导体区域中的至少一个电介质区域。所述至少一个电介质区域的电介质区域可具有上表面，所述上表面在所述半导体区域中的高于所述二极管结的深度的深度处设置在所述阱区域中；和下表面，所述下表面在所述半导体区域中的与所述二极管结的深度相同的深度处或低于所述二极管结的深度的深度处设置在所述半导体区域中。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、金属氧化物半导体场效应管和整流器器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920544521.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-19
授权号 ：
CN209766430U
授权日 ：
2019-12-10
发明人 ：
邓盛凌迪安·E·普罗布斯特Z·豪森
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐川
优先权 ：
CN201920544521.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/868 H01L21/336 H01L21/329 H01L27/06 H01L21/82
法律状态
2019-12-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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