半导体整流器件
授权
摘要
本实用新型公开一种半导体整流器件,包括位于二极管芯片、第一引线条和第二引线条,所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和第一引脚部,所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部,所述第二引线条的上端和下端分别为焊接部和第二引脚部;所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少2个第一通孔,此第一通孔的边缘具有与二极管芯片相背的第一翻边部,所述第二引线条的焊接部的边缘开有至少2个第二通孔。本实用新型半导体整流器件避免了焊膏溢出导致的虚焊和接触面积降低,从而提高了器件的使用寿命,有利于进一步降低接触电阻。
基本信息
专利标题 :
半导体整流器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020811746.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-15
授权号 :
CN211957633U
授权日 :
2020-11-17
发明人 :
唐兴军王亚
申请人 :
苏州兴锝电子有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区竹园路209号4号楼8楼812-3室
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
王健
优先权 :
CN202020811746.1
主分类号 :
H01L23/49
IPC分类号 :
H01L23/49 H01L23/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/49
类似线状的
法律状态
2020-11-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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