一种半导体整流器件

专利权的终止

摘要

一种半导体整流器件由一等效的PN结和垂直MOS管并联组成，而垂直MOS管中的上部源/漏区通过以下工序形成：a.在栅电极光刻和腐蚀工序之后，对硅片第一主表面暴露出来的区域进行N型离子注入；b.在N型离子注入之后，对硅片第一主表面暴露出来的区域进行挖硅腐蚀，在栅电极的侧面下方区域残留的N型离子经过快速热退火形成上部源/漏区。本实用新型通过挖硅腐蚀工艺，解决了现有垂直MOS管的上部源/漏N+区面积较大以及分布不合理所带来的问题。对于等效PN结区来说，其用单一的PN结替代了原来的NPN管，具有更小的PN结寄生效应。对于等效的垂直MOS管区，其用残余的N型离子经过快速热退火形成上部源/漏区，从而大幅度的减少了上部源/漏区的有效结面积，具有更小的反向漏电流。

基本信息

专利标题：

一种半导体整流器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820031497.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-02-03

授权号：

CN201153122Y

授权日：

2008-11-19

发明人：

朱袁正周名辉钱叶华

申请人：

苏州硅能半导体科技股份有限公司

申请人地址：

215021江苏省苏州市苏州工业园区机场路328号国际科技园C301单元

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人：

马明渡

优先权：

CN200820031497.3

主分类号：

H01L27/06

IPC分类号：

H01L27/06 H01L23/522 H01L29/78 H01L29/08

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/06

在非重复结构中包括有多个单个组件的

法律状态

2018-03-02 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 27/06
申请日 : 20080203
授权公告日 : 20081119

2008-11-19 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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