金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备。该金属氧化物半导体场效应管包括：有源区；隔离结构，分别位于所述有源区的两侧；栅极氧化物层，位于所述有源区上；所述栅极氧化物层的两侧分别与所述有源区两侧的隔离结构相接触；栅极层，位于所述隔离结构和所述栅极氧化物层上；所述有源区的上部两侧分别形成有两个栅极非重叠区；所述栅极非重叠区为所述隔离结构所覆盖。本申请的金属氧化物半导体场效应管，有源区的上部两侧分别具有两个栅极非重叠区，栅极非重叠区能够有效消除浅沟槽结构所产生的寄生晶体管现象，能更大程度地减少阈下驼峰现象。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体场效应管、制造方法及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388617A
申请号 ：
CN202011140773.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹炅一吴容哲刘金彪杨涛贺晓彬丁明正王垚
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘广达
优先权 ：
CN202011140773.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
