氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶、以及半导体器件的制造方...
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摘要
本发明提供包含In2O3晶相、Zn4In2O7晶相和ZnWO4晶相的氧化物烧结体，以及所述氧化物烧结体的制造方法。所述方法包括通过烧结含有In、W和Zn的成型体而形成所述氧化物烧结体的步骤，形成所述氧化物烧结体的步骤包括将所述成型体在选自500℃以上且1000℃以下的温度范围的恒定的第一温度下放置30分钟以上。
基本信息
专利标题 ：
氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶、以及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109476549A
申请号 ：
CN201780044470.X
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-02-28
授权号 ：
CN109476549B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
绵谷研一宫永美纪粟田英章
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王海川
优先权 ：
CN201780044470.X
主分类号 ：
C04B35/01
IPC分类号 ：
C04B35/01 C23C14/34 H01L21/363 H01L29/786
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/01
申请日 : 20170228
申请日 : 20170228
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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