有架空旁路层的金属—半导体场效应管及制造方法
被视为撤回的申请
摘要
在这一新型肖特基势垒场效应MESFET晶体管的结构中，包括一个基片和三个电极：源极、栅极和漏极。用一个形如连续薄片的栅极，使其电阻接近于零。栅极使源极部分旁路，并在其连接上形成一个架空层。制造工艺基本上包括：第一次光掩模，蒸发，在光刻胶上制作金属化层，电镀生长一层金属，第二次光掩模，以及腐蚀整个金属化层和去除两层光刻胶。
基本信息
专利标题 ：
有架空旁路层的金属—半导体场效应管及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86105841A
申请号 ：
CN86105841
公开（公告）日 ：
1988-02-24
申请日 ：
1986-07-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉亚姆比罗·多恩泽里
申请人 ：
泰利特拉电话电子通讯联合股票公司
申请人地址 ：
意大利米兰
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN86105841
主分类号 ：
H01L29/64
IPC分类号 ：
H01L29/64 H01L29/76 H01L21/04
法律状态
1989-12-20 ：
被视为撤回的申请
1988-09-21 ：
实质审查请求
1988-02-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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