一种半导体场效应管测试装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体场效应管测试装置，属于半导体检测技术领域。一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体，本实用新型通过在测试仪主体顶面开设检测腔，并在检测腔内分别设置有用于检测电压的检测座、用于检测一定时间内场效应管温度变化的温度检测探头以及用于检测一定时间内场效应管发生噪音频率的噪音监测探头，从而达到一机多用的检测目的；本实用新型还在检测腔上端设置有密封组件，利用密封组件不仅可以起到密封防护的作用，且可以确保检测腔内温度检测探头和噪音监测探头检测数据的精确。本实用新型结构设计合理，操作简便，检测精度高，不仅满足半导体场效应管电压测试，还能检测半导体场效应管的噪音性能以及温度特性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体场效应管测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921334641.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-16
授权号 ：
CN210923885U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
杨洋
申请人 ：
扬州信尚电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区杨庙镇新杨村
代理机构 ：
南京常青藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄胡生
优先权 ：
CN201921334641.5
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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