测试电路及半导体测试方法

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摘要

本发明涉及一种测试电路，包括：M个测试单元，测试单元具有第一端和第二端，M个测试单元的第一端均连接到电源线，M个测试单元的第二端均连接到地线，M为正整数；测试单元包括TDDB测试元件、开关和控制电路；TDDB测试元件被击穿之前具有第一等效电阻，TDDB测试元件被击穿之后具有第二等效电阻，第一等效电阻大于第二等效电阻。各TDDB测试元同时在同一电压下进行测试，一旦其中的某一个TDDB测试单元被击穿，控制电路和开关会将该TDDB测试单元所在的支路断路，避免短路的出现，从而不影响其他TDDB测试单元的后续继续测试，使得多个TDDB测试单元能够同时进行检测，大大缩短了测试时间。

基本信息

专利标题：

测试电路及半导体测试方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113495203A

申请号：

CN202010259653.7

公开（公告）日：

2021-10-12

申请日：

2020-04-03

授权号：

CN113495203B

授权日：

2022-05-03

发明人：

刘志拯

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

赵潇君

优先权：

CN202010259653.7

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26