半导体测试图案及其测试方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体测试图案及其测试方法，其中该半导体测试图案包含一高密度元件区，以及多个电阻对，环绕于该高密度元件区的周围，其中每一个电阻对包含有两个相互对称的电阻图案。
基本信息
专利标题 ：
半导体测试图案及其测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113611621A
申请号 ：
CN202110234796.7
公开（公告）日 ：
2021-11-05
申请日 ：
2021-03-03
授权号 ：
CN113611621B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
袁林山杨光欧阳锦坚吕嘉伟黄清俊谈文毅
申请人 ：
联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市翔安区万家春路899号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202110234796.7
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-11-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210303
申请日 : 20210303
2021-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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