测试结构及其制造方法，利用测试结构的半导体结构测试方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例涉及测试结构及其制造方法，利用测试结构的半导体结构测试方法。本揭露提供一种半导体结构测试方法，其包含步骤：形成测试结构；将静电力形成于所述测试结构的多晶硅结构；以及测量所述多晶硅结构的电容值。在形成所述测试结构时，其包含步骤：提供第一衬底，其具有第一表面；将第一沟槽形成于所述第一衬底的所述第一表面；将多晶硅结构形成于所述第一沟槽；以及将第二沟槽形成于所述第一衬底的所述第一表面，在侧视角度上使所述多晶硅结构悬空于所述第二沟槽内。本揭露还包含所述测试结构以及所述测试结构的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
测试结构及其制造方法，利用测试结构的半导体结构测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512414A
申请号 ：
CN202011285090.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡文景沈靖凯邓伊筌杜荣国梁其翔
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李春秀
优先权 ：
CN202011285090.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201117
申请日 : 20201117
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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