场效应管封装结构
授权
摘要
本实用新型包括封装外壳、位于封装外壳内的衬底，衬底顶部两侧的封装外壳上均设置有侧绝缘体，所述衬底顶部中心设有中心绝缘体，衬底上设有两个耗尽层，两个所述耗尽层之通过沟道连通，位于所述耗尽层顶部、位于所述中心绝缘体顶部和衬底底部均设置有电极柱，所述封装外壳上开设有用于电极柱穿出的穿孔；本实用新型的优点在于：硅胶密封圈的设置有助于帮助内外封装隔绝，防止内部进入水分或者灰尘影响工作；排针的设置能够便于本实用新型的安装电路的电性连接，使得其焊接连线时候整齐划一；上述封装结构便于进行量产，由于其封装结构简单，生产方式则简单，产量增大。
基本信息
专利标题 ：
场效应管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920660013.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-09
授权号 ：
CN209515641U
授权日 ：
2019-10-18
发明人 ：
姚磊
申请人 ：
无锡光磊电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市清源路20号大学科技园立业楼E栋207室
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王闯
优先权 ：
CN201920660013.X
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2019-10-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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