集成电路场效应管的结构

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明公开了一种集成电路场效应管的结构，包括横向的漏源区域和纵向的栅极区域，所述漏源区域包括漏极区域和源极区域，所述栅极区域与所述漏源区域相交叉，所述漏极区域和所述源极区域分别位于所述栅极区域的两侧，相邻的漏源区域之间还有间隔区域，所述栅极区域在相邻的两漏源区域上的位置相互错开，所述栅极区域延伸至间隔区域后发生弯折，该弯折部分将位于相邻的漏源区域上相互错开栅极区域相连接。本发明通过使栅极区域发生弯折，不仅使栅极区域在间隔区域的面积增大了，而且还提高了集成电路的集成度，从而提升了集成电路的性能。

基本信息

专利标题：

集成电路场效应管的结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101034707A

申请号：

CN200610024575.2

公开（公告）日：

2007-09-12

申请日：

2006-03-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

朱振东朱英姿吴镔

申请人：

科圆半导体（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区松涛路563号A座318室

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200610024575.2

主分类号：

H01L27/085

IPC分类号：

H01L27/085