一种场效应管的封装装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种场效应管的封装装置，包括装置本体、封装下模板、封装上模板、场效应管本体、下气缸、上气缸和吹风封装装置，所述装置本体的内侧底部设有横向滑动轨道，所述横向滑动轨道的底部电性连接有第一滑动控制装置，所述第一滑动控制装置的顶部滑动连接有下气缸，所述下气缸的顶部设有封装下模板，所述封装下模板的顶部设有场效应管本体，所述场效应管本体的顶部设有封装上模板，所述封装上模板的顶部连接有上气缸，所述上气缸的右部设有椭圆形滑轨，所述椭圆形滑轨的底部经过连接杆连接有吹风封装装置，涉及场效应管封装技术领域，便于安放场效应管本体，方便直接压合封装，可高效的压合覆膜封装，吹风净化吹热风快速覆膜封装。
基本信息
专利标题 ：
一种场效应管的封装装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020332505.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-17
授权号 ：
CN211507578U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
胡吉成
申请人 ：
上海贞尔实业有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
代理机构 ：
北京中索知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵登阳
优先权 ：
CN202020332505.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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