一种场效应管
授权
摘要
本实用新型公开了一种场效应管，通过将场效应管中的阱区分离开来，并在相邻两个阱区之间的区域不进行离子注入而选择在其上部通过生长金属来制备肖特基接触，使周边阱区和外延形成的PN结与肖特基接触共同组成一个结势垒肖特基二极管，并且在使用过程中通过使这个结势垒肖特基二极管替代器件自身的寄生PIN二极管或在外部反并联使用的外部快恢复二极管，使得器件具有更低的导通压降，更低的功率损耗及更快的工作效率，也降低了工业成本。
基本信息
专利标题 ：
一种场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921037535.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-04
授权号 ：
CN209947846U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
姚金才杨良陈宇
申请人 ：
深圳爱仕特科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区福保街道市花路5号长富金茂大厦22层2201-01
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN201921037535.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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