绝缘栅场效应管
授权
摘要
本实用新型公开一种绝缘栅场效应管,包括高浓度参杂层、N区、栅极区和源电极;所述高浓度参杂层上依次设置有所述N区、所述栅极区和所述源电极;所述源电极与所述N区之间形成肖特基结;所述N区设置有第一插槽和第二插槽,且所述第二插槽深度大于所述第一插槽深度至少1μm,且第二插槽宽度大于所述第一插槽宽度,所述第一插槽为栅沟槽,所述第二插槽为肖特基源区的沟槽。本实用新型具有沟道电阻小及可靠性高的优点。
基本信息
专利标题 :
绝缘栅场效应管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921512018.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-11
授权号 :
CN210575964U
授权日 :
2020-05-19
发明人 :
刘道国
申请人 :
深圳市精芯智能半导体有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区西乡街道乐群社区银田共乐工业区36号A1508
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921512018.4
主分类号 :
H01L29/78
IPC分类号 :
H01L29/78 H01L29/10 H01L29/417
法律状态
2020-05-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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