绝缘栅场效应管
授权
摘要
本实用新型公开一种绝缘栅场效应管，包括高浓度参杂层、N区、栅极区和源电极；所述高浓度参杂层上依次设置有所述N区、所述栅极区和所述源电极；所述源电极与所述N区之间形成肖特基结；所述N区设置有第一插槽和第二插槽，且所述第二插槽深度大于所述第一插槽深度至少1μm，且第二插槽宽度大于所述第一插槽宽度，所述第一插槽为栅沟槽，所述第二插槽为肖特基源区的沟槽。本实用新型具有沟道电阻小及可靠性高的优点。
基本信息
专利标题 ：
绝缘栅场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921512018.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN210575964U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
刘道国
申请人 ：
深圳市精芯智能半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道乐群社区银田共乐工业区36号A1508
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921512018.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/10 H01L29/417
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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