一种N沟道绝缘栅场效应管
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种N沟道绝缘栅场效应管，包括引线框架，所述引线框架的尾部连接有若干框架管脚，所述框架管脚尾端卡扣连接有拼接管脚；在所述框架管脚上位于框架管脚和拼接管脚的连接处设置有卡扣通道，在所述拼接管脚上设置有用于拼接管脚和卡扣通道卡扣连接的卡扣臂，所述卡扣通道内设置有用于拼接管脚位置固定的定位凹槽，所述卡扣臂上设置有与定位凹槽相对应的定位块；引线框架上通过框架管脚卡扣连接有拼接管脚，拼接管脚通过卡扣臂与框架管脚上设置的卡扣通道插入式连接，以解决现有技术中由于场效应管的引脚结构与塑封体之间易发生断裂而导致场效应管报废，造成资源浪费的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种N沟道绝缘栅场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920718106.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-20
授权号 ：
CN209675277U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
高苗苗
申请人 ：
深圳市冠禹半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区蛇口街道南海大道1052号海翔广场4楼406-410室12-01号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920718106.3
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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