一种基于石墨烯电极的量子点垂直沟道场效应管
授权
摘要
本实用新型属于石墨烯电极技术领域，具体为一种基于石墨烯电极的量子点垂直沟道场效应管，包括安装板，所述安装板的顶部设置有底衬层，所述底衬层的顶部设置有二氧化硅层，所述二氧化硅层的顶部设置有石墨烯层，所述石墨烯层的顶部设置有量子点层，所述量子点层的顶部设置有金电极，所述金电极的顶部设置有光转化膜层，所述量子点层的右侧设置有源极金接触层，且所述源极金接触层与量子点层连接，其结构合理，通过金电极的顶部设置有光转化膜层，在使用的过程中，对光进行转化，防止温度过高损坏装置，提高了装置的耐热性能，通过在底衬层的底部设置有安装板和安装螺孔，方便了装置的安装。
基本信息
专利标题 ：
一种基于石墨烯电极的量子点垂直沟道场效应管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021878397.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
CN212750901U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
梁飞霞吴春春卢文婷
申请人 ：
太原师范学院
申请人地址 ：
山西省晋中市榆次区大学街319号
代理机构 ：
郑州豫原知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩晓娟
优先权 ：
CN202021878397.1
主分类号 ：
H01L29/772
IPC分类号 ：
H01L29/772
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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