一种集成续流沟道二极管的垂直GaN MOSFET
实质审查的生效
摘要
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成续流沟道二极管的垂直GaN MOSFET。本发明主要特征在于：MOSFET源极与漏极分别同时作为续流二极管的阳极与阴极，源极槽与P型GaN阻挡层之间的漂移区作为续流二极管的沟道；相比于传统MOSFET，集成续流沟道二极管具有更低的反向续流开启电压、更小的反向导通损耗及更优良的反向恢复特性；相比于集成肖特基二极管，集成的续流沟道二极管具有更低的泄漏电流、更好的温度特性以及更高的击穿电压；正向阻断时，P型GaN埋层结构有效降低了栅极与源极凹槽附近的电场尖峰，因此本发明具有更高的击穿电压，相较于并联二极管实现续流的方案，有利于减小器件面积和寄生参数以及降低正向传导与反向传导时的导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种集成续流沟道二极管的垂直GaN MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447101A
申请号 ：
CN202210078228.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏杰廖德尊张成邓思宇贾艳江孙涛郗路凡赵智家罗小蓉
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202210078228.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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