具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件

授权

摘要

本实用新型提供一种具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件,氮化镓半导体器件包括沿横向布置的第一晶体管区和第二晶体管区，第一晶体管区作为续流二极管，第一晶体管区包括第一栅极、第一源极和第一漏极，第一栅极与第一源极电连接后作为续流二极管的阳极，第一漏极作为续流二极管的阴极。第二晶体管区包括第二栅极和第二漏极，第一栅极与第一源极电连接后作为氮化镓半导体器件的源极，第一漏极与第二漏极电连接后作为氮化镓半导体器件的漏极，第二栅极作为氮化镓半导体器件的栅极。该氮化镓半导体器件能够极大地节省面积，同时具有完美的工艺兼容性。

基本信息

专利标题：

具有集成续流二极管的氮化镓半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020295203.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-11

授权号：

CN211529952U

授权日：

2020-09-18

发明人：

廖航周春华

申请人：

英诺赛科（苏州）半导体有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号

代理机构：

珠海智专专利商标代理有限公司

代理人：

薛飞飞

优先权：

CN202020295203.9

主分类号：

H01L27/085

IPC分类号：

H01L27/085