不加反并联续流二极管的全SiC功率模块
公开
摘要
本发明公开一种不加反并联续流二极管的全SiC功率模块，4组MOSFET并联组由七片SiC MOSFET裸片并联组成，2组SiC SDB并联组由5片SiC SDB裸片并联；采用上述方案后，本发明模块采用全SiC芯片，损耗降低30％以上，最高工作温度提高25℃以上，同时降低了全SiC模块的材料成本，使得整体成本与增加反并联续流二极管的全SiC功率模块相比降低30％以上。
基本信息
专利标题 ：
不加反并联续流二极管的全SiC功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114465455A
申请号 ：
CN202111638449.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢嵩岳林少峰陈永华江天张虹朗
申请人 ：
厦门三优光电股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼N505室
代理机构 ：
厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
顾克帅
优先权 ：
CN202111638449.7
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088 H01L25/18 H02M7/487
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
