一种电子抽取型续流二极管器件及其制备方法
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摘要
一种电子抽取型续流二极管器件及其制备方法，本发明涉及一种功率半导体器件，通过在N型漂移区上还设置一个以上用于增加电子抽取通路密度的第一结构，第一结构包括有轻掺杂P型基区及设于轻掺杂P型基区上方的重掺杂N型发射区、P型沟槽阳极区及设于P型沟槽阳极区上的沟槽区，重掺杂N型发射区、轻掺杂P型基区和N型漂移区构成穿通型NPN三极管结构，所述的N型漂移区、P型平面阳极区和P型沟槽阳极区形成JFET结构,所述P型平面阳极区和P型沟槽阳极区与阳极电极）形成肖特基接触,所述重掺杂P型欧姆接触区与阳极电极形成欧姆接触；穿通NPN三极管势垒高度调整范围广，可增大对反向恢复又软又快的调整幅度等有益效果。
基本信息
专利标题 ：
一种电子抽取型续流二极管器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300543A
申请号 ：
CN202210229795.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
CN114300543B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
冯浩刘永单建安
申请人 ：
安建科技（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦1108
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
袁燕清
优先权 ：
CN202210229795.8
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L27/07 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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