集成高速续流二极管的碳化硅分离栅MOSFET及制备方法
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摘要
本发明涉及一种集成高速续流二极管的碳化硅分离栅MOSFET及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明的MOSFET采用分离栅的设计，以降低器件的开关损耗。为了防止分离栅结构所带来的栅氧可靠性问题，加入了P型埋层降低多晶硅边缘栅氧化层的电场强度。进一步地，加入了N型导流层，将电流从沟道引入到器件的漂移区。此外，为了降低碳化硅MOSFET寄生体二极管的导通压降以及引入单极导电模式，在MOSFET的元胞另一边引入了一种基于MOS结构的高速续流二极管，相对于传统做法，本发明的高速续流二极管采用P型埋层的表面拖尾形成沟道区，即在不增加额外版次的情况下尽量降低了高速续流二极管的导通压降。
基本信息
专利标题 ：
集成高速续流二极管的碳化硅分离栅MOSFET及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114122123A
申请号 ：
CN202210090837.4
公开（公告）日 ：
2022-03-01
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
CN114122123B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
顾航高巍戴茂州
申请人 ：
成都蓉矽半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202210090837.4
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/06 H01L29/10 H01L29/78 H01L27/06 H01L21/82 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-03-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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