一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET

授权

摘要

本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET，用以克服现有的集成肖特基续流二极管的碳化硅槽栅MOSFET元胞面积大、集成度低的缺点。本发明提供碳化硅槽栅MOSFET的元胞结构中，通过深槽正下方设置P⁺型电场屏蔽区，将肖特基二极管集成在深槽两侧，在集成肖特基二极管的同时实现了其所需的电场屏蔽效果，不仅在碳化硅槽栅MOSFET上集成了续流二极管，且具有低导通损耗和低开关损耗，同时具有高集成度和降低面积成本的优点。

基本信息

专利标题：

一种集成肖特基续流二极管碳化硅槽栅MOSFET

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109119419A

申请号：

CN201810921041.2

公开（公告）日：

2019-01-01

申请日：

2018-08-14

授权号：

CN109119419B

授权日：

2022-05-03

发明人：

易波张丙可

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

电子科技大学专利中心

代理人：

甘茂

优先权：

CN201810921041.2

主分类号：

H01L27/06

IPC分类号：

H01L27/06 H01L29/06 H01L29/872