一种基于碳化硅的肖特基PIN二极管
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摘要
本实用新型公开了一种基于碳化硅的肖特基PIN二极管，该器件包括：半导体衬底，在半导体衬底上的N型重掺杂区，在N型重掺杂区上的N型轻掺杂区和低掺杂本征半导体区，在N型轻掺杂区上的金属区，在低掺杂本征半导体区上的P型掺杂区，在P型掺杂区、低掺杂本征半导体区和金属区的上表面的正极，在N型重掺杂区上表面的负极，在N型轻掺杂区上表面的硅氧化物绝缘区。该器件通过金属区和N型轻/重掺杂区构成的肖特基二极管，和P型掺杂区、低掺杂本征半导体区和N型重掺杂区构成的PIN二极管，可以有效地降低该半导体器件的开关损耗和提高其开关速度。
基本信息
专利标题 ：
一种基于碳化硅的肖特基PIN二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022141553.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN212783463U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
陈利陈译陈彬
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区港中路1736号205-1单元
代理机构 ：
厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
苏娟
优先权 ：
CN202022141553.2
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/868 H01L27/06
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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