一种大功率散热型碳化硅肖特基二极管

实质审查的生效

摘要

本发明提供了一种大功率散热型碳化硅肖特基二极管，包括阴极金属、连接在所述阴极金属上端的碳化硅衬底、形成于所述碳化硅衬底上端的碳化硅外延层、连接在所述碳化硅外延层上端的阳极金属、SiO₂保护层。本发明的碳化硅肖特基二极管，具有大功率、快速散热的特点。

基本信息

专利标题：

一种大功率散热型碳化硅肖特基二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114497236A

申请号：

CN202210086839.6

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2022-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈志耀

申请人：

先之科半导体科技（东莞）有限公司

申请人地址：

广东省东莞市寮步镇寮步百业路70号1栋、2栋

代理机构：

东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

何新华

优先权：

CN202210086839.6

主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/872 H01L29/417 H01L23/367

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20220125

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载