一种大功率防击穿的肖特基二极管
公开
摘要
本发明提供了一种大功率防击穿的肖特基二极管，包括阴极金属、连接在所述阴极金属上端的硅衬底、形成于所述硅衬底上端的硅外延层、连接在所述硅外延层上端的阳极金属、SiO2保护层；所述阳极金属包括与所述硅外延层上端面接触的接触部、连接在所述接触部边缘的并且覆盖在SiO2保护层上端的导电部、连接在所述导电部一端并且覆盖在所述SiO2保护层外侧面的延伸部，所述硅外延层的边缘形成有斜沟槽，所述斜沟槽内填充有多晶硅，所述斜沟槽的开口端与所述延伸部连接，所述斜沟槽的开口端顶部与所述硅外延层上端面在同一水平线上，所述斜沟槽的开口端底部与所述延伸部下端面在同一水平线上。本发明的肖特基二极管，具有大功率、防止反向击穿的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率防击穿的肖特基二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566553A
申请号 ：
CN202210158424.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
焦庆
申请人 ：
先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市寮步镇寮步百业路70号1栋、2栋
代理机构 ：
东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何新华
优先权 ：
CN202210158424.5
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L23/367 H01L29/06
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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